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使用直流四探針法測量和分析硅晶片、擴(kuò)散層、 金屬層的電阻率和薄膜電阻。
適用晶片尺寸：2"～8"；
數(shù)字電壓表量程：0—199.9mV 靈敏度：100μV 輸入阻抗：1000ΜΩ 基本誤差±(0.4-0.5%讀數(shù)+0.1%滿度)
電阻率范圍：10—3 —1×103Ω·cm。
方塊電阻范圍：10—2 —1×104Ω/□。 
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