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無(wú)接觸硅片測(cè)試儀:NCS-R80

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

   phys-R80 無(wú)接觸硅片測(cè)試儀是一款用于硅片的厚度、電阻率測(cè)量的專業(yè)儀器,該儀器適用于Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有的材料,所有的設(shè)計(jì)都符合ASTM(美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì))Semi標(biāo)準(zhǔn),確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。 

產(chǎn)品特點(diǎn)

無(wú)接觸無(wú)損傷測(cè)量

電阻率和厚度同時(shí)測(cè)量

適用的晶圓材料包括Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有的材料

電腦觸摸屏顯示

抗干擾強(qiáng),穩(wěn)定性好                                      

強(qiáng)大的工控機(jī)控制和大屏幕顯示

一體化設(shè)計(jì)操作更方便,系統(tǒng)穩(wěn)定

為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供精確的無(wú)接觸測(cè)量 

 

技術(shù)指標(biāo)

測(cè)試尺寸:50mm-300mm.

厚度測(cè)試范圍:1000 um,可擴(kuò)展到1700 um

厚度測(cè)試精度:+/-0.25um
厚度重復(fù)性精度:0.050um

TTV 測(cè)試精度: +/-0.05um
TTV重復(fù)性精度: 0.050um

彎曲度測(cè)試范圍: +/-500um

彎曲度測(cè)試精度: +/-2um

彎曲度測(cè)試重復(fù)性精度:0.75um

電阻率測(cè)試范圍:0.1ohm.cm——50 ohm.cm
電阻率測(cè)試精度:+/- 2%

電阻率測(cè)量重復(fù)精度:+/- 1%

材料:Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料

可用在:切片后、磨片前、后,蝕刻,拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等

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