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半導體單晶硅材料的應用越來越重要,對其的品質要求越來越嚴格；然而在單晶生長過程中不可避免的存在缺陷與內應力，從而導致晶格發(fā)生畸變，降低晶格完整性，影響產(chǎn)品結晶質量。
X射線衍射(XRD)技術已被廣泛用于研究單晶材料的結構完整性以及微結構外延材料界面處的晶格完整性、晶向的偏離、樣品組分等，它能夠給出單晶材料中由位錯、雜質、化學配比、殘留應力等造成的晶格畸變程度的信息。
目前主要的檢測手段也即XRD，可以對整個晶片的晶格完整性情況進行掃描，從而可以了解晶體中缺陷的分布情況，掌握缺陷的產(chǎn)生規(guī)律，有助于改進和提高材料的質量。
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